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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
8500
En 2.75 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
23400
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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