RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
46
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3045
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link