RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3008
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link