RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3008
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link