RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3038
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link