RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
59
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1081
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link