RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2236
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link