RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2313
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link