RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
81
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1651
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link