RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3303
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link