RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2677
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link