RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2677
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link