RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3185
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link