RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 14.6
    テスト平均値
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 59
    周辺 -51% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 3185

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
メモリRAM