RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
59
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2170
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 992031 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link