RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
59
Около -34% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
44
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2170
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link