RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
59
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link