RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2481
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link