RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3461
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link