RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3690
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link