RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3741
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link