RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2690
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link