RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
73
Wokół strony -306% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
18
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3536
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link