RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3637
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link