RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2845
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link