RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3759
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link