RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3759
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link