RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
20.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
59
周辺 -119% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
27
読み出し速度、GB/s
4,833.8
20.1
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
16.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
3759
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link