RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3933
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link