RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3933
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link