RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3052
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link