RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2372
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link