RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2291
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link