RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3527
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link