RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3527
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link