RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3527
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link