RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3134
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link