RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
86
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
86
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1658
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link