RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
86
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
86
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
1658
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link