RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3405
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Mushkin 992017 (997017) 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link