RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3230
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link