RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2439
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link