RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 0000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 0000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
77
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2220
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 0000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link