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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 0000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kllisre 0000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 0000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
77
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
49
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2220
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 0000 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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