RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2973
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905402-534.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link