RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2786
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link