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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
59
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
40
读取速度,GB/s
4,833.8
14.8
写入速度,GB/s
2,123.3
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2786
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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