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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
14.2
22.3
写入速度,GB/s
8.9
20.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
4051
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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