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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
66
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
55
读取速度,GB/s
7.9
9.3
写入速度,GB/s
7.0
7.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1862
2078
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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