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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

总分
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

总分
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    55 left arrow 66
    左右 -20% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.3 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 55
  • 读取速度，GB/s
    7.9 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    7.0 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1862 left arrow 2078

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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