RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1728
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link