RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3013
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link