RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2854
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link