RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2854
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link